比Intel和IBM强？台积电32nm取得突破

　　【IT168 资讯】IBM的32nm制程新材料技术取得了突破(促销产品 主营产品)，而台积电近日也宣布，在半导体代工企业中第一个开发出可同时支持模拟和数字集成电路的32nm制程技术，而且已经成功试制出了32nm技术的2Mb SRAM单元，并通过功能验证。

　　Intel和IBM都需要借助High-k和金属栅极（metal gate）技术才达到高效的32nm制程，而台积电尤其独到之处，他们不需要这两种技术的帮助就可达到32nm制程的需求。试产的这块高密度SRAM面积仅0.15平方微米，采用193nm浸润式（immersion lithography）双重曝光（double patterning）技术制成。

　　台积电表示，他们的32nm制程技术具有低能耗、支持模拟和射频、铜导线和低介电常数（low-k）材料导线等优势，非常适合于生产便携产品所需的芯片产品。

 

台积电研发团队