威刚、镁光DDR II内存模组测试

　　【IT168评测室】Intel发布的i915/i925x芯片组让DDR II内存模组终于来到了消费者的面前，虽然除了一些资金充裕的喜欢尝鲜的用户才会选择DDR II内存模组，但是业界对于这种内存的普遍的支持态度，使得这种开放的内存规范很有可能成为下一代主流内存规范。在7月份的i915/925x新平台专题中，我们先后实际接触到三个厂商的内存模组：Micron、Samsung和Adata。其中，Micron和Adata都是一对容量为512MB的内存模组，而Samsung是256MB的容量，所以我们对于Micron和Adata的内存模组进行了对比测试。

　　镁光（Micron） DDR II 533内存模组

MT16HTF6464A内存模组

　　我们所测试的Micron DDR II 533内存模组的型号为MT16HTF6464A，这种高速、CMOS，动态随机访问存储器的容量为512MB。通过Micron的主页我们可以查询到它们还已经推出了容量为1GB和2GB的内存模组，其型号分别为MT16HTF12864A和MT16HTF25664A。这三种内存模组都采用了x64配置。其中的512MB和1GB内存模组为4 bank结构，而2GB内存模组为8 bank结构。通过下面的表格我们可以初步了解这三种容量不同的内存模组：

　　这个系列的内存模组的主要特点为：

• 240-pin，dual in-line memory module(DIMM，双列内存模组)

• 快速数据传输：PC2-3200 或者 PC2-4300

• 采用了400 MT/s和533 MT/s DDR2 SDRAM组件

• 512MB (64 Meg x 64)、1GB(128 Meg x 64) 和 2GB (256 Meg x 64)

• VDD = +1.8V ±0.1V, VDDQ = +1.8V ±0.1V

• VDDSPD = +1.7V to +3.6V

• JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)

• Differential data strobe (DQS, DQS#) option

• Four-bit prefetch architecture

• Differential clock inputs (CK, CK#)

• Commands entered on each rising CK edge

• DQS edge-aligned with data for READs

• DQS center-aligned with data for WRITEs

• DLL to align DQ and DQS transitions with CK

• Four or eight internal device banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for masking write data • Programmable CAS# latency (CL): 3 and 4

• Posted CAS# additive latency (AL): 0, 1, 2, 3, and 4

• WRITE latency = READ latency - 1 tCK • Programmable burst lengths: 4 or 8

• READ burst interrupt supported by another READ • WRITE burst interrupt supported by another WRITE

• Adjustable data-output drive strength

• Concurrent auto precharge option is supported

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh Mode

• 7.8125µs maximum average periodic refresh interval

• 64ms, 8,192-cycle refresh

• Off-chip driver (OCD) impedance calibration

• On-die termination (ODT)

• Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM

• Gold edge contacts

标签显示这款内存还是样品

　　在MT16HTF6464A内存模组的背面可以看到内存型号之后还有“-53EB2”字样，这个部分主要代表内存模组的时序：

　　可以看到标记有“-53E”字样的内存模组是其中频率较高的产品，它的频率可达533MHz，此时CL为4，如果调节频率到400MHz，那么CL可以设置为3。下面是各种内存模组的主要参数对比表格：

MT16HTF6464A内存模组所采用的芯片