拒绝混淆！明辨DDR和GDDR

　　编者按：对于很多普通用户来说，小小内存的显得非常的不起眼。PC100规格的推广期间，首先引起了用户对于内存的普遍关注。随后的一系列产品，对于有一定硬件知识的用户来说还都算比较容易区分（这里指的上它们的主要特征，实际上内存技术是相当难于理解的技术之一）。比如SDR和DDR，读取数据的触发点增加了一倍，数据输出带宽也就相应的增加一倍；DDR和DDR II，主要是预取数据宽度不同，所以数据输出带宽也不同。不过，随着用于显卡的GDDR、GDDR2和GDDR3的概念相继出炉，很多用户就想当然的以为GDDR2就是DDR2、GDDR3就是DDR3，很多厂商在宣传的时候似乎也含糊其辞。本文将会给较为详细的揭示各种内存规格和GDDR/GDDR2/GDDR3之间的联系，帮助大家明确的辨析这些概念，做到明明白白消费。

　　DRAM内存循序渐进的发展历史

　　内存的发展总是循序渐进的，而且是一步一个脚印，后来的技术总是建立在原有技术的基础上。每个人接触到的第一款内存类型都不一样，我是从快页内存（FP DRAM）开始接触电脑的，随后使用了EDO DRAM，这两种内存都无法和系统时钟同步工作。之后就是造成内存发展革命性变化的SDRAM，当然了SDRAM也不是凭空产生的，它也是EDO的改进产品。SDRAM可以和系统时钟同步，SDRAM中的PC66/PC100和PC133都被大家所熟知。由于Intel的不支持使DDR差点胎死腹中，我想DDR和RDRAM的战争以及其中的曲折想必大家都有所耳闻，幸好有VIA为DDR推波助澜，才使的DDR成为主流的内存。DDR2技术基于DDR，它的出现是为了解决DDR内存发展遇到的瓶颈。此外这篇文章还要向大家介绍GDDR，GDDR2和GDDR3，它为是针对显卡设计的高性能DRAM，对于它们想必还有很多读者存在疑问，在这篇文章中会一一阐述清楚。

　　DRAM内存的本质特点

　　实际上，DRAM是一个晶体管和一个电容的结合体，很简单但也很高效。换句话说，基本的DRAM架构仍然是现代内存类型的基础，因此，所有的现代内存类型都继承了DRAM的优点和缺点：它需要刷新（预充电，不然随着漏电，DRAM中的数据会消失），以及有操作频率的上限（这也是用电容充电来存储数据的弊病）。DRAM频率不能无限提升，只有在I/O上做文章。SDRAM采用管线架构，内部存储单元的频率和输出频率是一样的。DDR则采用数据预取的架构，同时预取2bit数据，因此输出数据传输率可以做到内部数据传输率的2倍，DDR2则是同时预取4bit数据，在内部存储单元频率不变的情况下，把数据传输率提高4倍，下面会更详细的说明数据预取概念。

DRAM的发展历史

　　最早的DDR标准是DDR200，这个标准被遵循了很久。DDR200的核心工作频率是100MHz，这和PC100 SDRAM的工作频率是一样的，DDR内存可以在每个时钟信号的上升延和下降延传输信号，因此获得工作频率两倍的数据传输率。我们把工作在100MHz的DDR内存称为DDR200，它的速度传输率为1.6GB/s，也叫PC1600。就象PC100到PC133一样，频率的提高总是以33MHz为单位，133MHz频率的DDR SDRAM被称为DDR266，它的数据传输率为2.1GB/s。随后是DDR-333，数据传输率达到了2.7GB/s。DDR400的出现是为了和前端总线同步，获得更高的性能，目前双通道DDR400内存使用很普遍。不过到了DDR400，其内部存储单元的工作频率已经高达200MHz，进一步提升频率遇到了困难，这时候需要引入新的内存类型来解决。