全金属外壳，金邦CL 1.5内存评测

    【IT168评测室】去年Intel把DDR2内存引入桌面平台，这主要是解决内存发展上的瓶颈，动态内存使用电容来存储数据，有个充放电的过程，速度的提升是有限的。我们知道DDR2内存基于4bit Prefetch架构，相当于4位（预取）并发传输的概念，这样内部cell的工作频率只有内存端口频率的一半，为什么不是四分之一呢，因为DDR2内存同DDR一样是在时钟信号的上升延与下降延传输数据，它的数据传输率是端口频率的两倍。举例来说，DDR400内部Cell的工作频率是200MHz（DDR采用2bit Prefetch结构），而DDR2 400内部Cell的工作频率只有100MHz，相当于让内存发展又回到一条康庄大道上，当DDR2又发展到一个瓶颈时，DDR3就会出现，相信你也能猜到，DDR3基于8bit Prefetch架构。

动态内存的基本结构

    不过DDR2虽然能够提供较高的带宽，但是内存的延迟大幅增加，这对性能构成严重影响。AMD Athlon 64集成了内存控制器，配合双通道DDR400内存，以低延迟获得相当出色的性能。我们这次拿到了一对由金邦科技出品的DDR400内存模组，它的CL参数为1.5，处于业内领先水准。

    我们知道DRAM内部的存储单元按照行（row)和列（column）排成一个矩阵，内存访问地址被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此DRAM读写第一个延迟是Row到CAS的延迟，从列地址访问允许（CAS）到读/写数据还有一个延迟，被称为CAS延迟。这就是读写第一位数据所需要付出的成本，此后SDRAM都采用突发数据传输，也就是把同一列（column）的数据连续读出，延迟只有一个时钟周期。