【IT168评测室】04年,Intel用915/925芯片组把DDR2 SDRAM引入主流桌面平台,之前,Intel便在64bit Nocona Xeon平台上部署了DDR2内存技术。
系统性能的增加,大多数人将会直觉地首先想到处理器频率的增加,无休止的CPU频率竞赛似乎因为物理技术上的限制而陷入了困境:Intel和AMD都不约而同转向单芯片多处理器内核架构,尽管实现细节有些不同,它们都通过在同一个芯片内集成2个或者更多个CPU单元来提升系统执行能力。还有一个影响速度的重要因素是处理器外部频率,更高的处理器外部频率可以让处理器与外界交换数据的速度更加快,其俨然是一点小小提升就可以让处理器有重大效能成长的方便之门。
基本上,外频和内存的运行频率都固定成一定比率,其实大多数情况下就为1:1,更快速的外频通常就意味着需要更快速的内存。由快速内存得到的效能成长,这种想法并没有什么错,目前DDR内存的频率已经达到了极限,Intel因此便转向了DDR2架构,尽管目前AMD还在固守DDR平台,不过最近的消息表明其最后也将会转向DDR2。
一般人可能会相信在DDR2内存上的高数据传输频率可以转换成可以量测到的效能成长,可惜的是,这可能不是事实,在真实世界中,一台配置DDR2-533内存的系统只比配备DDR400内存的系统稍微快一点点,同样的,DDR2-667内存的配备所得的结果比你期望的少多了。这是因为在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
尽管拥有延迟比较高的缺点,DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。
最后,除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。OCD(Off-Chip Driver)讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ-DQS SKEW(时钟讯号偏离),提升信号的品质。ODT(On-Die Termination)技术通过内存内集成终结电阻器,降低主板设计难度和成本得到最佳的信号品质。Post CAS则是提高DDR2总线的利用效率。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,优势还是比较明显的。最重要的是,随着市场的进展,当前同容量的DDR2内存价格已经要比DDR要更低,新装Intel平台的用户已经不用再考虑DDR。
Samsung(三星)是全球知名的内存芯片/模组厂商之一,我们测试了三星送来的两条三星金条SEC400D2U3/512模组,参数为512M DDR2-3200U CL3 3-3-3。
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