创见DDR2 800 1GB内存模组评测

    【IT168评测室】Intel发布了915/925芯片组把DDR2 SDRAM引入主流桌面平台，我们知道DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴，也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。引入DDR2架构也是必然的事，这是由DRAM的本质所决定的。

    自从DRAM诞生以来已经走过了十多年，从十年前的快页内存，到EDO内存，再到SDRAM，DRAM一步一个脚印的发展。DRAM的基本结构相当简单，它采用电容来存储数据，因此能够以较低成本做到高密度的内存。但是DRAM的缺陷也是明显的，那就是电容充放电需要时间，存在漏电，需要定时刷新，而且每读取一次数据就需要重新刷新一遍，这些因素使DRAM的频率不能无限提高。因此才需要通过一定技术在不提升内部Cell频率的情况下增下I/O速率，DDR就是这样一个解决方案，它的I/O速率是内部单元速度的两倍，这就是所谓的2bit Prefetch。而DDR2采用了4bit Prefetch，在保持相同I/O速率的情况下，Cell工作频率只有DDR内存的一半，这样这使内存频率提升回到一个新的起点。当DDR2发展到一定阶段时，DDR3就会出现，而它采用了8bit Prefetch架构。

创见内存

    这对创见1GB DDR800内存模组采用了双面设计，内存模组的正反面各有八片FBGA封装的颗粒，它采用的是512兆位的芯片，因此每根内存模组的容量达到了1GB。加上DDR2 800的高规格，这对模组成为高端玩家的首选器材。在模组的正面有创见的激光防伪标签，PCB板上有Transcend字样。

    Transcend DDR2 800 1GB模组采用了三星的K4T51083QC颗粒，SEC K4T51083QC为512兆位颗粒，使用32Mbit×4 I/Os×4 banks配置，它的最高传输速率可以达到800Mb/sec/pin (DDR2-800)。它具有DDR2所拥有的posted CAS和附加延时，写延时=读延时-1。而OCD阻抗校正和内建的终结电阻（ODT），所有的控制和地址输入同步于一对差分时钟信号。输入锁定差分时钟的交差点（crosspoint），提供精确的时钟信号。

SEC K4T51083QC的工作时序