突破四十年 Intel 45nm晶体管技术

--英特尔高-K栅介质和金属栅极晶体管技术以及Penryn处理器探秘

责任编辑：李琪作者：评测中心李琪 2007-02-06

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第5页：英特尔45nm晶体管的应用
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　　【IT168评测】2007年1月29日，英特尔中国有限公司在北京宣布其在基础晶体管设计方面所取得的一个最重大的突破：采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。

　　英特尔将采用专有的新型高-k介质材料作为晶体管栅介质，同时采用新型金属材料组合作为晶体管栅电极，不仅极大的减少了45nm晶体管漏电量，同时提高了处理器性能。“采用高-k栅介质和金属栅极材料，是自上世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）晶体管以来，晶体管技术领域里最重大的突破，”英特尔公司联合创始人戈登•摩尔（Gordon Moore）给予了这项新晶体管技术给予了极高了评价。

　　英特尔表示在台式机、笔记本和服务器领域，晶体管技术的提升使得公司能够继续创造出处理器计算速度的全新纪录；同时会减少晶体管的漏电量——这种漏电会影响芯片和PC的设计、规格、功耗、噪音以及成本。同时，这一突破也会保证摩尔定律在下一个十年继续有效。“随着越来越多的晶体管被集成到一个硅晶片上，业界一直在研究电流泄露问题的解决方案，”英特尔高级院士Mark Bohr指出：“我们的工程师和设计人员已经取得了重大突破，确保了英特尔在产品和创新方面的领导地位。我们在45nm制程技术方面采用了新型高-k栅介质和金属栅极晶体管，将帮助英特尔公司针对我们已经成功推出的英特尔酷睿2 和至强系列处理器，推出速度更快、能效更高的多核产品，并使摩尔定律在下一个十年继续发扬光大。”

　　英特尔计划在下一代英特尔酷睿2双核、英特尔酷睿2四核以及英特尔至强系列多核处理器中应用这种由新材料制成的晶体管，并且明确的表示2007年下半年将会推出15款应用了45nm技术的处理器产品。英特尔公司还宣布这其中的五种早期版本的处理器原型已经可以运行——英特尔公司相信，生产出新一代45nm系列产品（研发代码为Penryn）中的首批可工作 45 nm处理器，标志着英特尔在半导体产业领先至少一年。