Intel相变存储：决心取代闪存和内存！

　　【IT168 资讯】Intel近日宣布已经准备出样90-nm 128-Mbit相变存储模块（phase change），今年下半年量产，希望能够替代闪存，作为非易失性存储的下一代解决方案。

　　这种128Mb相变存储模块已经达到了1亿次的重复擦写性能和10年的数据保存能力，这比闪存性能好多了，温度适应问题也得到了解决，目前已经算是比较成熟。这种存储产品目前是设计用来替代闪存的，但是Intel相信成势之后也可以在一定程度上替代电脑内存。据称奇梦达也在和IBM合作开发这一技术。