纳米线存储数据 速度将提升1000倍！

　　【IT168 资讯】硬盘存储之后，现在固态闪存硬盘大有上升之势，不过它带来的性能、功耗的好处并不是太大，价格却很高。

　　宾夕法尼亚大学的Ritesh Agarwal和他的同事们研究出了一种使用纳米线（nanowire）存储数据的设备，据称相比现有的存储系统，读取速度可以提升1000倍，而数据可以保持10万年！

　　该技术基于自组装的纳米线“锗锑碲化物（germanium antimony telluride）”，研究人员测试写入和擦除读取速度在50ns之间，而仅仅耗费0.7mW功耗。

　　该技术将让我们进入TB级别存储时代，但是目前还不知道什么时候可以商业化。

原文地址：http://www.upenn.edu/pennnews/article.php?id=1217

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