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核心和显存分离式供电设计,全固态电容,封闭式电感线圈,具备出色的抗电磁干扰能力。三相供电设计,并为每相供电提供两颗高品质MOS管,同时显卡额外提供了一组6PIN的外接电源接口,为显卡高频率长时间稳定运行提供了扎实的基础。
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工程师在显卡的供电部分与显存颗粒之间设计了一道“墙”。这道金属“墙”设计目的是为了在显卡运行期间阻隔供电部分带来的电磁干扰性,而为了确保显卡在高频运行中,提高显存所必须的信号传输的准确性所考虑的一个问题。
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采用四颗三星64M 32Bit的DDRIII -1.0ns的颗粒,组成256M/128bit显存规格。 1.0ns的显存理论的运行频率是2000Mhz,这频率可是与DDRII的极限频率差离不远了。
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