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AMD HyperFlash性能比Intel方案高30%

责任编辑:朱桂林作者:巴斯光年   2007-10-24   

  【IT168 资讯】微软的Vista中新增ReadyBoost及ReadyDrive技术,Intel方面将主板内置Turbo Memory予以应用,而AMD的SB700南桥也将搭配HyperFlash技术应战。

  HyperFlash技术将会把闪存控制器线路与IDE总线整合,支持三星OneNAND芯片,最高支持4颗,芯片频率为80MHz,16Bit接口最高传输速度为108MB/s,并声称相比Intel Turbo Memory快30%。

  现在HyperFlash所采用的模块是由Molex设计,PC厂商可自行生产HyperFlash卡,可支持512MB、1GB及2GB容量,相比Intel Turbo Memory必须由Intel自行生产,HyperFlash的吸引力自然较高,如果HyperFlash营销策略成功,将有望迫使Intel把Turbo Memory生产下放给PC厂商。

  目前SB700 A12版已经出样,预计12月份量产,明年可以搭配RD790主板销售,支持的驱动到明年2月可以就绪。

  另外AMD支持HT3.0、PCIE2.0,集成UVD视频模块的集成显卡芯片组RS780目前芯片已经是A11样品,预计明年1月份可以上市。

左下为HyperFlash模块设计,右上为HyperFlash模块卡工程样本。

RS780
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  • 标准CPU插槽:Socket775
  • 前端总线频率(MHz):800/1066
  • 内存类型:DDR2
  • 双通道内存:支持
  • 显卡插槽:PCI
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