晶体管密度提升了2倍,从而使芯片体积更小
晶体管切换功率降低30%以上
晶体管切换速度提升20%以上
源极-漏极漏电功率降低5倍以上
栅极氧化物漏电功率降低10倍以上
这项技术落实到产品上就是闪存芯片和处理器,这些产品同样会因为这些特性而受益。双路Xeon将会是第一个全线应用45nm技术的产品线:代号为Harpertown的Xeon 5400处理器将会使用45nm Hi-k技术。

Xeon 5400处理器将会具有更高的集成度,每个四核处理器中将会包括8.2亿个晶体管,而上一代四核处理器Xeon 5300处理器则为5.8亿个晶体管,但是Xeon 5400处理器的核心面积则减小到了107平方毫米。“晶体管密度提升了2倍”的优势得以体现。

基于45nm制程技术的四核Xeon处理器的主频不久前才达到了3GHz,而基于45nm制程技术的处理器的最高主频肯定是可以突破3GHz的,这也得益于“晶体管切换速度提升20%以上”。

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