Hynix海力士展示首个4GB超小闪存芯片

　　【IT168 资讯】导体厂商Hynix海力士昨天宣布他们开发出了业界首块使用每储存单元3比特(three-bits-per-cell)技术容量为32Gb(4GB)的NAND闪存芯片。

　　同目前广泛使用的MLC NAND闪存芯片(每储存单元2比特)相比，这种闪存芯片最大的优点就是体积更小，约比前者小30%。这种新型NAND闪存芯片有望在数码相机、USB闪存盘、移动电话和音乐播放器等领域一展身手。Hynix计划从今年10月份起量产这种闪存芯片。