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去年11月，在经过R600的失败后，ATI再次背水一战，推出了采用最新55nm工艺制造的RV670。这一次的赌博ATI奇迹般地顺利，有史以来第一次以A11版本（就是说第一版样品）核心即可出货相关产品，同时凭借当时最先进的55nm工艺，把RV670的每平方毫米性能比提升至极致的水平，就连NVIDIA的CEO黄仁勋先生都在年初的投资者会议上提到：“以高成本的G92产品去对抗对手的RV670产品实在有点顾此失彼”，可见RV670核心对NVIDIA的影响甚大。
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GT200芯片面积达到疯狂的576平方毫米
借助RV670成功的经历，ATI开始在产品开发思路上走着和NVIDIA不一样的路：由于在早期人类并设有预见到当集成度与微观世界发生联系定律会遇到如此多的问题，大量的物理化学定律在微观领域中失效或被改写，半导体的发展不再只局限于制造工艺，转而材料学开始成为晶片设计制造水平和可靠性的关键问题，同时成为芯片性能提升的重要因素。
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所以ATI认为NVIDIA那种通过盲目增加核心面积，塞进更多的晶体管去提高芯片性能的方案已经寸步难行。 因此AMD/ATI公司发言人随即就发表了意见，他们不希望GPU或者VPU继续走着这样的老路子：先造出一颗大型GPU，然后不断屏蔽一部分规格以对应不同市场。基于产能和可扩展性的考虑，未来ATI将把每一代核心的开发重点放在中型级芯片上，然后采用单卡双芯的方式推出顶级显卡。
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确定把所有精力放在研究中型级芯片后，ATI可谓在每平方毫米性能比方面登峰造极。如果说RV670是ATI着力研究发中型核心的第一步，那么RV770就是ATI中型核心的首款结晶品，在核心面积和晶体管数量仅提升40%的情况下，RV770比RV670的流处理器单元居然有着2.5倍的提升，这使得即使核心频率只有625MHz的RadeonHD4850，其浮点运算效率也达到了惊人的1TeraFLOP！
